第四届国际碳材料大会金刚石创新应用论坛圆满落幕 看金刚石产业发展新态势
发布时间 : 2019-12-06
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细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况
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- 发布时间：2019-08-12 16:05
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【概要描述】以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料(禁带宽度>4.5eV)的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电子器件等领域具有显著的优势和巨大的发展潜力，目前正成为国际竞争的新热点。
细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况
【概要描述】以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料(禁带宽度>4.5eV)的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电子器件等领域具有显著的优势和巨大的发展潜力，目前正成为国际竞争的新热点。
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以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料(禁带宽度>4.5 e V)的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电子器件等领域具有显著的优势和巨大的发展潜力，目前正成为国际竞争的新热点。
金刚石作为超宽带隙半导体材料的一员(禁带宽度5.5 e V)，具有优异的物理和化学性质，如高载流子迁移率、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和速率和低介电常数等，以下是相关参数对比。基于这些优异的性能参数，金刚石被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料，被业界誉为“终极半导体”。
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金刚石半导体材料发展现状
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